1 月 13 日消息，據(jù)外媒 techpowerup 報(bào)道，三星電子今日正式公布了世界首款搭載 MRAM 內(nèi)存的電腦，相關(guān)論文發(fā)表在《Nature》網(wǎng)站，并即將在雜志上發(fā)表。論文題目為《用于內(nèi)存內(nèi)計(jì)算電腦的磁阻存儲(chǔ)器件交叉陣列》，相關(guān)電腦可以用于 AI 運(yùn)算。

　　這項(xiàng)技術(shù)是三星 SAIT 研究院與三星電子代工業(yè)務(wù)和半導(dǎo)體研發(fā)中心共同開(kāi)發(fā)的，論文第一作者是 Seungchul Jung 博士。

　　目前的計(jì)算機(jī)大都采用獨(dú)立的 RAM 內(nèi)存以及獨(dú)立的硬盤(pán)存儲(chǔ)，但是為了提高運(yùn)算效率，業(yè)界一直在開(kāi)發(fā)非易失的內(nèi)存，能夠兼顧硬盤(pán)和內(nèi)存的功能，同時(shí)有助于大大降低功耗。

　　為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，研究人員開(kāi)發(fā)了 RRAM(電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器)、PRAM(相變隨機(jī)存儲(chǔ)器)等，已經(jīng)有了原型機(jī)。三星采用的 MRAM(磁阻非易失隨機(jī)存儲(chǔ)器)具有高速、耐用、容易量產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，但是由于功耗問(wèn)題，此前遲遲沒(méi)有正式亮相。

　　三星電子的研究人員通過(guò)創(chuàng)新的架構(gòu)來(lái)提供解決方案。具體來(lái)看，研究者成功開(kāi)發(fā)了一種新的 MRAM 陣列，通過(guò)新型“電阻”和計(jì)算架構(gòu)，替換當(dāng)前采用的架構(gòu)。

　　搭載 MRAM 內(nèi)存的電腦經(jīng)過(guò) AI 運(yùn)算性能測(cè)試，識(shí)別手寫(xiě)數(shù)字的準(zhǔn)確度達(dá)到了 98%，人臉識(shí)別準(zhǔn)確度達(dá)到了 93%。

　　研究人員表示，MRAM 芯片應(yīng)用于 in-memory computing(內(nèi)存內(nèi)計(jì)算)電腦，十分適合進(jìn)行神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算等，因?yàn)檫@種計(jì)算架構(gòu)與大腦神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)較為相似。

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