4 月 28 日消息，在 M1 Ultra 官方發(fā)布會上，蘋果介紹其 Mac Studio 中的 M1 Ultra 時表示，這是最強大的定制 Apple Silicon，它使用 UltraFusion 芯片對芯片互連技術(shù)，從而實現(xiàn)了 2.5TB / s 的帶寬。

　　從介紹來看，這涉及到兩個 M1 Max 芯片協(xié)同工作的問題。臺積電現(xiàn)已證實，蘋果 M1 Ultra 芯片其實并未采用傳統(tǒng)的 CoWoS-S 2.5D 封裝生產(chǎn)，而是使用了本地的芯片互連 (LSI) 的集成 InFO 扇出型晶圓級封裝(Integrated Fan-out)芯片。

　　據(jù)了解，蘋果最新的 M1 系列產(chǎn)品基于臺積電 5nm 工藝技術(shù)，但之前有媒體稱其通用采用了臺積電 CoWoS-S(chip-on-wafer-on substrate with silicon interposer)封裝工藝。當然，臺積電在使用其 CoWoS 封裝平臺為網(wǎng)絡 IC 和超大 AI 芯片等多種芯片解決方案供應商提供服務方面擁有豐富經(jīng)驗，而且臺積電還一直在使用先進工藝和 InFO_PoP 技術(shù)制造 iPhone 芯片。

　　實際上有很多種可以將芯片組橋接進行相互通信，但臺積電的 InFO_LI 可以降低成本。半導體封裝工程專業(yè)人士 Tom Wassick 放出了一張臺積電在 3D IC 和異構(gòu)集成國際研討會上呈現(xiàn)的 PPT，闡明了其封裝方法，顯示蘋果這次使用了 InFO_LI 技術(shù)。

　　總的來說，CoWoS-S 是一種非常不錯的方法，但要比 InFO_LI 更貴。除了這一點之外，Apple 沒必要選擇 CoWoS-S，畢竟 M1 Ultra 只需要完成兩個 M1 Max 芯片的相互通信，而所有其他組件，包括統(tǒng)一的 RAM、GPU 和其他組件都是芯片中的一部分，因此，除非 M1 Ultra 改用信新型多芯片設計和更快的內(nèi)存(如 HBM)，否則 InFO_LI 對 Apple 來說就是更好的選擇。

　　具體而言，InFO-LSI 技術(shù)需要將一個本地 LSI (silicon interconnection) 與一個重分布層 RDL (redistribution layer) 相關聯(lián)。與 CoWoS-S 相比，InFO-LSI 的主要優(yōu)勢在于其較低的成本。

　　CoWos-S 需要用到大量完全由硅制成的大型中介層，因此成本非常昂貴;但 InFO_LI 湊合著用了本地化的芯片互連技術(shù)，總的來說沒什么太大影響。

　　值得一提的是，彭博社 Mark Gurman 稱，蘋果新一代 Mac Pro 已經(jīng)準備就緒，它將搭載一款更強的芯片，也就是 M1 Ultra 的“繼任者”。據(jù)稱，這款產(chǎn)品的代號為 J180，此前的信息暗示，這款產(chǎn)品將采用臺積電的下一代 4nm 工藝量產(chǎn)，而不是目前的 5nm 工藝。

　　有傳言稱，新的蘋果芯片將具有兩個 M1 Ultra 相結(jié)合(4 個 M1 Max)。Gurman 早些時候表示，這款工作站將采用定制的芯片，最多可支持 40 核 CPU 和 128 核 GPU，性能值得期待，定價同樣美麗。

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